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SK하이닉스, 올 3분기 영업손실 1조7920억원..적자 폭 줄였다

정민우 기자 | 기사입력 2023/10/26 [12:37]

 

브레이크뉴스 정민우 기자= SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고, 올해 3분기 매출 9조662억 원, 영업손실 1조7920억 원(영업손실률 20%), 순손실 2조 1847억 원(순손실률 24%)을 기록했다고 밝혔다.

 

매출은 전년동기대비 17% 감소했고, 영업이익은 적자전환했다. 

 

SK하이닉스는 “고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 회사 경영실적은 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다”며 “특히 대표적인 AI용 메모리인 HBM3, 고용량 DDR5와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력제품들의 판매가 호조를 보이며 전분기 대비 매출은 24% 증가하고 영업손실은 38% 감소했다”고 설명했다.

 

이어 “무엇보다 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한 데 의미를 두고 있다”고 강조했다.

 

매출 증가 추세에 대해 SK하이닉스는 D램과 낸드 모두 판매량이 늘어난 것은 물론, D램 평균판매가격(ASP, Average Selling Price) 상승이 큰 영향을 미쳤다고 분석했다.

 

제품별로 보면, D램은 AI 등 고성능 서버용 제품 판매 호조에 힘입어 2분기 대비 출하량이 약 20% 늘어났고, ASP 또한 약 10% 상승했다. 낸드도 고용량 모바일 제품과 SSD(Solid State Drive) 중심으로 출하량이 늘었다.

 

흑자로 돌아선 D램은 생성형 AI 붐과 함께 시황이 지속해서 호전될 전망이다. 적자가 이어지고 있는 낸드도 시황이 나아지는 조짐이 서서히 나타나고 있어 사측은 전사 경영실적의 개선 추세를 이어가기 위해 만전을 기하겠다는 입장이다.

 

실제, 올 하반기 메모리 공급사들의 감산 효과가 가시화되는 가운데 재고가 줄어든 고객 중심으로 메모리 구매 수요가 창출되고 있으며 제품 가격도 안정세에 접어들고 있다.

 

이런 흐름에 맞춰 SK하이닉스는 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력제품에 대한 투자를 늘리기로 했다. D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 TSV*에 대한 투자를 확대한다는 계획이다.

 

SK하이닉스 김우현 부사장(CFO)은 “당사는 고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 AI 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다”며 “앞으로 HBM, DDR5 등 당사가 글로벌 수위(首位)를 점한 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을 창출해낼 것이며, 고성능 프리미엄 메모리 1등 공급자로서의 입지를 지속 강화해 나가겠다”고 말했다.

 

break9874@naver.com

 

*아래는 위 기사를 '구글 번역'으로 번역한 영문 기사의 [전문]입니다. '구글번역'은 이해도 높이기를 위해 노력하고 있습니다. 영문 번역에 오류가 있을 수 있음을 전제로 합니다.<*The following is [the full text] of the English article translated by 'Google Translate'. 'Google Translate' is working hard to improve understanding. It is assumed that there may be errors in the English translation.>

 

SK Hynix recorded an operating loss of 1.792 trillion won in the third quarter of this year...reduced deficit

 

Break News Reporter Jeong Min-woo= SK Hynix held an earnings conference on the 26th and announced that it recorded sales of KRW 9.0662 trillion, operating loss of KRW 1.792 trillion (operating loss rate 20%), and net loss of KRW 2.1847 trillion (net loss rate 24%) in the third quarter of this year. .

 

Sales decreased by 17% compared to the same period last year, and operating profit turned into a loss.

 

SK Hynix said, “As market demand increases centering on high-performance memory products, the company’s business performance has been continuously improving after hitting a low point in the first quarter of last year.” “In particular, HBM3, a representative AI memory, and high-capacity DDR5 along with high-performance mobile DRAM, etc. “Sales of key products were strong, with sales increasing by 24% and operating loss decreasing by 38% compared to the previous quarter,” he explained.

 

He continued, “More than anything, it is meaningful that DRAM, which had turned into a loss in the first quarter of this year, has turned into a surplus in just two quarters.”

 

Regarding the sales growth trend, SK Hynix analyzed that not only did the sales volume of both DRAM and NAND increase, but also the increase in DRAM average selling price (ASP) had a significant impact.

 

By product, DRAM shipments increased by about 20% compared to the second quarter thanks to strong sales of high-performance server products such as AI, and ASP also increased by about 10%. NAND shipments also increased, focusing on high-capacity mobile products and SSD (Solid State Drive).

 

The market for DRAM, which has returned to profit, is expected to continue to improve along with the generative AI boom. As the NAND market, which is continuing to suffer losses, is slowly showing signs of improving, the company's stance is that it will do its best to continue the improving trend in company-wide business performance.

 

In fact, as the effects of memory suppliers' production cuts become visible in the second half of this year, demand for memory purchases is being created mainly from customers with reduced inventory, and product prices are also stabilizing.

 

In line with this trend, SK Hynix decided to increase investment in high-value flagship products such as HBM, DDR5, and LPDDR5. The plan is to shift the process to focus on the 4th generation (1a) and 5th generation (1b) DRAM 10 nanometers, while expanding investment in HBM and TSV*.

 

SK Hynix Vice President (CFO) Kim Woo-hyun said, “We are leading the high-performance memory market and are solidly establishing ourselves as a company that will become the core of future AI infrastructure.” He added, “In the future, products such as HBM and DDR5, where we will take the global lead, will be developed.” “Through these, we will create a new market that is different from the existing one, and we will continue to strengthen our position as the No. 1 supplier of high-performance premium memory.”

 

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