김기남 삼성전자 종합기술원 원장은 6일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 2010 iedm(international electron devices meeting)(반도체학회)에서 기조연설을 통해 이같이 전망했다.
김 원장은 ‘미래 실리콘 기술 전망: 도전과 기회(from the future si technology perspective: challenges and opportunities)’를 주제로 한 연설을 통해 “dram, 플래시메모리, 로직 디바이스 等 실리콘 기술이 여러 도전들에 직면해 있는 것은 사실”이라며 “그럼에도 불구하고 10 나노미터 이하로 계속 발전해 가는데 한계는 없을 것”이라고 설명했다.
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그는 “스마트 디바이스의 등장으로 2020년경에는 컴퓨팅 파워와 저장 용량이 현재보다 60배 이상이 요구될 것”이라며 “이를 충족시키기 위해 저전력, 고용량, 고집적도의 실리콘 기술은 앞으로 더욱 발전할 것”이라고 말했다.
실리콘 기술의 한계는 신공정, 신구조, 신물질을 통해 극복될 수 있을 것이며 실제로 새로운 구조를 적용한 3d nand, 새로운 물질을 도입한 reram 등 차세대 실리콘 기술이 대표적 사례라는 게 김기남 원장의 설명이다.
김 원장은 특히 “3d ic는 현재 기술 노드 수준에서도 실행 가능한 고집적·고용량 솔루션이 될 것”이라고 강조했다.
그는 또 “실리콘 기술과 화합물 반도체, 광기술 등이 융합된 새로운 기술이 부상하게 될 것”이라며 “바이오헬스, 에너지, 자동차, 로봇 등 여러 분야에 융합기술이 적용돼 미래 실리콘 산업의 새로운 성장엔진이 될 수 있을 것”이라고 전했다.
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