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브레이크뉴스 정민우 기자= 삼성전자가 AI시대 초고용량 서버SSD를 위한 ‘1Tb(테라비트) QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드’를 업계 최초로 양산했다.
삼성전자는 지난 4월 ‘TLC 9세대 V낸드’를 최초 양산한데 이어, QLC 제품까지 선보이며 고용량∙고성능 낸드플래시 시장 리더십을 굳건히 했다.
삼성 9세대 V낸드는 독보적인 ‘채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)’ 기술을 활용해 더블 스택(Double Stack) 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다.
특히, 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀(Cell)과 페리(Peripheral)의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 약 86% 증가한 업계 최고 수준의 비트 밀도(Bit Density)를 자랑한다.
V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 더욱 중요해졌으며, 삼성전자는 이를 위해 ‘디자인드 몰드(Designed Mold)’ 기술을 활용했다.
‘디자인드 몰드’란 셀 특성 균일화, 최적화를 위해 셀을 동작시키는 WL(Word Line)의 간격을 조절해 적층하는 기술로, 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 높여 제품 신뢰성을 향상시켰다.
이번 9세대 QLC는 셀의 상태 변화를 예측, 불필요한 동작을 최소화하는 ‘예측 프로그램(Predictive Program) 기술’ 혁신을 통해 이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했다.
또한, 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 BL(Bit Line)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 ‘저전력 설계 기술’을 통해 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 감소했다.
삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 허성회 부사장은 “9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 또한 양산에 성공함으로써 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다”며 “최근 AI향으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것이다”고 말했다.
한편, 삼성전자는 브랜드 제품을 시작으로 향후 모바일 UFS, PC 및 서버SSD 등 QLC 9세대 V낸드 기반 제품 응용처를 점차 확대할 계획이다.
break9874@naver.com
*아래는 위 기사를 '구글 번역'으로 번역한 영문 기사의 [전문]입니다. '구글번역'은 이해도 높이기를 위해 노력하고 있습니다. 영문 번역에 오류가 있을 수 있음을 전제로 합니다.<*The following is [the full text] of the English article translated by 'Google Translate'. 'Google Translate' is working hard to improve understanding. It is assumed that there may be errors in the English translation.>
Samsung Electronics, Industry's First Mass Production of '1Tb QLC 9th Generation V-NAND'
Samsung Electronics has become the first in the industry to mass-produce the ‘1Tb (terabit) QLC (Quad Level Cell) 9th generation V-NAND’ for ultra-high capacity server SSDs in the AI era.
Following the first mass production of the ‘TLC 9th generation V-NAND’ in April, Samsung Electronics has solidified its leadership in the high-capacity and high-performance NAND flash market by introducing QLC products.
Samsung’s 9th generation V-NAND has implemented the industry’s highest number of layers with a double stack structure utilizing the exclusive ‘Channel Hole Etching’ technology.
In particular, this QLC 9th generation V-NAND boasts the industry’s highest bit density, which is approximately 86% higher than the previous generation QLC V-NAND, by minimizing the area of cells and peripherals.
As the stacking number of V-NANDs increases, it becomes more important to maintain uniform cell characteristics between layers and by layer, and Samsung Electronics utilized the ‘Designed Mold’ technology for this purpose.
‘Designed Mold’ is a technology that adjusts the spacing of WL (Word Line) that operates cells to uniformize and optimize cell characteristics and stacks them, improving product reliability by increasing data retention performance by about 20% compared to previous products.
This 9th generation QLC has improved write performance by 100% and data input/output speed by 60% compared to previous generation QLC products through the innovation of ‘Predictive Program Technology’ that predicts cell status changes and minimizes unnecessary operations.
In addition, ‘low-power design technology’ that lowers the voltage that operates NAND cells and senses only the necessary BL (Bit Line) to minimize power consumption has also reduced data read and write power consumption by about 30% and 50%, respectively.
Samsung Electronics Memory Business Division Flash Development Office Vice President Heo Sung-hoe said, “By successfully mass-producing the 9th generation QLC V-NAND just four months after mass-producing the 9th generation TLC, we have the latest lineup required by the high-performance, high-capacity SSD market for AI,” adding, “Our leadership in the enterprise SSD market, where demand has been rapidly increasing due to AI, will be further highlighted.” Meanwhile, Samsung Electronics will start with branded products and expand the QLC 9th generation to mobile UFS, PC, and server SSDs in the future.
