 ▲ HBM4E © 삼성전자 |
브레이크뉴스 정민우 기자= 삼성전자가 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가, 차세대 HBM4E 기술력과 Vera Rubin 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세워 글로벌 AI리더십을 한층 강화한다.
삼성전자는 이번 전시에서 ‘HBM4 Hero Wall’을 통해 HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 메모리 로직 설계 Foundry 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 부각했다. ‘Nvidia Gallery’를 통해서는 AI 플랫폼을 함께 완성해 나가는 양사의 전략적 파트너십을 강조했다.
삼성전자는 전시 공간을 AI Factories(AI Data Center) Local AI(0n-device AI) Physical AI 세 개의 존으로 구성해, 기술력을 공식적으로 인정받은 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 소개했다.
삼성전자는 이번 전시에서 ‘HBM4 Hero Wall’을 마련해 삼성의 HBM 기술 리더십을 가장 먼저 조명할 수 있도록 전시 동선을 구성했다.
삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 Foundry 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있으며, HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.
삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 Foundry와 로직 설계 역량, 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.
또한, 삼성전자는 영상을 통해 TCB(Thermal Compression Bonding) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 공개하며, 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력을 강조했다.
아울러 삼성전자는 Vera Rubin 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 Foundry 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해, 차세대 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시를 구성했다.
삼성전자는 종합반도체 기업(IDM)만의 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 강화, 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획이다.
특히, 삼성전자는 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다.
삼성전자는 ‘Nvidia Gallery’를 별도로 구성해 △Rubin GPU용 HBM4 △Vera CPU용 SOCAMM2 △스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시하며 양사의 협력을 강조했다.
삼성전자 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다.
삼성전자 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 Vera Rubin 플랫폼의 메인 스토리지로, 삼성전자는 부스 내에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연해 사양 소개를 넘어 업계 최고 수준의 성능을 현장에서 체감할 수 있도록 했다.
이 외에도 삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 Vera Rubin 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이며, 부스 내 AI Factories 존에서 제품을 확인할 수 있다.
AI Factory 혁신을 위해서는 Vera Rubin 플랫폼과 같은 강력한 AI시스템이 필수적이며, 삼성전자는 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급해 나갈 예정이다.
break9874@naver.com
*아래는 위 기사를 '구글 번역'으로 번역한 영문 기사의 [전문]입니다. 구글번역'은 이해도 높이기를 위해 노력하고 있습니다. 영문 번역에 오류가 있을 수 있음을 전제로 합니다.<*The following is [the full text] of the English article translated by 'Google Translate'. 'Google Translate' is working hard to improve understanding. It is assumed that there may be errors in the English translation.>
Samsung Electronics Unveils HBM4E for the First Time... Advances AI Alliance with Nvidia
Samsung Electronics is participating in NVIDIA GTC, held in San Jose, USA, from the 16th to the 19th (local time), to further strengthen its global AI leadership by leveraging its next-generation HBM4E technology and its capability to exclusively supply total memory solutions that implement the Vera Rubin platform.
At this exhibition, Samsung Electronics highlighted the unique strengths of an Integrated Device Manufacturer (IDM)—encompassing memory logic design, foundry, and advanced packaging—which have emerged as core competitive advantages starting with HBM4, through the ‘HBM4 Hero Wall.’ Through the ‘Nvidia Gallery,’ the company emphasized the strategic partnership between the two companies to jointly complete AI platforms.
Samsung Electronics organized its exhibition space into three zones: AI Factories (AI Data Center), Local AI (on-device AI), and Physical AI, introducing next-generation Samsung memory architectures such as GDDR7, LPDDR6, and PM9E1, whose technological prowess has been officially recognized.
Samsung Electronics arranged the exhibition flow to highlight Samsung’s HBM technology leadership first, featuring the ‘HBM4 Hero Wall.’ Samsung Electronics is accelerating the development of the next-generation HBM4E based on the technological competitiveness derived from the 1c DRAM process accumulated through HBM4 mass production and Samsung Foundry's 4nm base die design capabilities. The company has unveiled the actual HBM4E chip and core die wafer for the first time.
Samsung Electronics' HBM4E is set to support speeds of 16Gbps per pin and a bandwidth of 4.0TB/s through optimized collaboration that integrates all capabilities within the division, including memory, proprietary Foundry and logic design capabilities, and advanced packaging technology.
Furthermore, through a video presentation, Samsung Electronics highlighted its packaging technology competitiveness for next-generation HBM by showcasing HCB (Hybrid Copper Bonding) technology, which improves thermal resistance by more than 20% compared to TCB (Thermal Compression Bonding) and supports high stacking of over 16 layers.
In addition, Samsung Electronics arranged the exhibition to allow visitors to see Samsung's HBM lineup for next-generation chips at a glance by prominently displaying the HBM4 chip to be mounted on the Vera Rubin platform and the Foundry 4nm base die wafer. Samsung Electronics plans to strengthen development efficiency through total solutions unique to an Integrated Device Manufacturer (IDM) and establish a virtuous cycle of technology that dominates performance and quality even in the era of high-performance HBM.
In particular, through this exhibition, Samsung Electronics highlighted its total memory solution capabilities, which make it the only company in the world capable of supplying all memory and storage components for the NVIDIA Vera Rubin platform in a timely manner.
Samsung Electronics organized a separate ‘Nvidia Gallery’ to showcase HBM4 for Rubin GPUs, SOCAMM2 for Vera CPUs, and PM1763 storage alongside the Vera Rubin platform, emphasizing the collaboration between the two companies.
Samsung Electronics’ SOCAMM2 is an LPDDR-based server memory module that has completed quality verification and has begun mass production shipments, marking a first in the industry. Samsung Electronics’ PCIe Gen6-based server SSD PM1763 serves as the main storage for the Vera Rubin platform. At the booth, Samsung demonstrated NVIDIA SCADA workloads on servers equipped with the PM1763, allowing visitors to experience industry-leading performance firsthand beyond mere specification introductions.
In addition, Samsung plans to supply the PCIe Gen5-based server SSD PM1753 for the CMX (Context Memory eXtension) platform, newly introduced to the Vera Rubin platform to improve inference performance and power efficiency. The product is available for viewing in the AI Factories zone within the booth.
Powerful AI systems like the Vera Rubin platform are essential for AI Factory innovation, and Samsung Electronics plans to continuously supply high-performance memory solutions to support them.
