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브레이크뉴스 정민우 기자= 삼성전자는 업계 최초로 ‘1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드’ 양산을 시작한다고 23일 밝혔다.
삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell), 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 ‘1Tb TLC 9세대 V낸드’의 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.
더미 채널 홀(Dummy Channel Hole)제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며, 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다.
삼성전자의 ‘9세대 V낸드’는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로, ‘채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)’ 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성도 향상됐다.
‘채널 홀 에칭’이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히, 적층 단수가 높아져 한번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 요구된다.
‘9세대 V낸드’는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 ‘Toggle 5.1’이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다.
또한, ‘9세대 V낸드’는 저전력 설계 기술을 탑재하여 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다. 환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.
삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 허성회 부사장은 “낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량∙고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것이다”고 말했다.
한편. 삼성전자는 ‘TLC 9세대 V낸드’에 이어 올 하반기 ‘QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드’도 양산할 예정으로, AI시대에 요구되는 고용량∙고성능 낸드플래시 개발에 박차를 가할 계획이다.
break9874@naver.com
*아래는 위 기사를 '구글 번역'으로 번역한 영문 기사의 [전문]입니다. '구글번역'은 이해도 높이기를 위해 노력하고 있습니다. 영문 번역에 오류가 있을 수 있음을 전제로 합니다.<*The following is [the full text] of the English article translated by 'Google Translate'. 'Google Translate' is working hard to improve understanding. It is assumed that there may be errors in the English translation.>
Samsung Electronics begins mass production of the industry’s first ‘1Tb TLC 9th generation V-NAND’
Break News Reporter Jeong Min-woo= Samsung Electronics announced on the 23rd that it will begin mass production of ‘1Tb (Terabit) TLC (Triple Level Cell) 9th generation V-NAND’ for the first time in the industry.
Samsung Electronics implemented the industry’s smallest cell size and minimum mold thickness, increasing the bit density of ‘1Tb TLC 9th generation V-NAND’ by about 1.5 times compared to the previous generation.
The surface area of the cell was reduced using dummy channel hole removal technology, and product quality and reliability were improved by applying cell interference avoidance technology and cell life extension technology to control the interference phenomenon that occurs while reducing the cell size.
Samsung Electronics' '9th Generation V-NAND' is the highest single-unit product that can be implemented in a double stack structure, and through 'Channel Hole Etching' technology, it has achieved process innovation that pierces the industry's largest single-unit at once, increasing productivity. has also improved.
‘Channel hole etching’ is a technology that sequentially stacks mold layers and then creates holes (channel holes) through which electrons move at once. In particular, as the number of layers increases and more holes are drilled at once, production efficiency also increases, so sophistication and advancement are required.
‘9th generation V-NAND’ uses ‘Toggle 5.1’, the next-generation NAND flash interface, and achieves a data input/output speed of up to 3.2Gbps, a 33% improvement over the 8th generation V-NAND. Based on this, Samsung Electronics plans to solidify its leadership in NAND flash technology by supporting the PCIe 5.0 interface and expanding the high-performance SSD market.
In addition, ‘9th generation V-NAND’ is equipped with low-power design technology, improving power consumption by about 10% compared to the previous generation product. It is expected to be the optimal solution for customers who focus on reducing energy costs while strengthening environmental management.
“As the generation of NAND flash products evolves, customer needs for high-capacity and high-performance products are increasing, so we have increased productivity and product competitiveness through extreme technological innovation,” said Heo Seong-hoe, Vice President and Head of Flash Development, Samsung Electronics Memory Division. “9th generation V-NAND. “Through this, we will lead the ultra-fast, ultra-high capacity SSD market in response to the AI era.”
Meanwhile. Following ‘TLC 9th generation V-NAND’, Samsung Electronics plans to mass produce ‘QLC (Quad Level Cell) 9th generation V-NAND’ in the second half of this year, and plans to accelerate the development of high-capacity and high-performance NAND flash required in the AI era.
