대만, 세계최소 9나노미터 저항메모리 개발

대만이 세계에서 가장 초소형의 저항메모리(rram) 개발에 성공했다. 9나노미터 크기의 이 저항메모리는 기존 플래시메모리에 비해 저장용량이 20배 큰 반면 전력소모는 200배 적다.대만 국가실험연구원(narc)의 허자화(何家__) ‘국가 나노미터 부품실험실’ 연구개발팀장은 14일 기자회견에서 이같이 밝히고 “5~10년 이내에 양산단계에 들어갈 것”이라고 전망했다.

그는 이번에 개발된 신기술은 메모리 산업의 신기원을 열 것이라고 말했다. 국제적으로 플래시메모리는 2004년 개발된 90나노미터에서 시작해 올해 32나노미터로 축소됐으며 내년에는 22나노미터로 더 작아질 전망이다. 종래의 예측은 이 단계에서 더 이상 축소되기 어려울 것으로 보았다.

하지만 대만은 이번 신기술 개발로 메모리 크기를 9나노미터의 혁명적인 수준으로 축소했다. 아울러 텅스텐 산화막의 화학구조를 변화시킴으로써 전력소모를 대폭 줄일 수 있게 됐다. 허 팀장은 새로 개발된 저항메모리 소자는 b형 독감 바이러스보다 100배 정도 작으며 완벽한 공업기술을 담고 있다고 밝혔다.

9나노미터 저항메모리 소자는 1㎠ 면적에 5,000억 개가 들어갈 수 있으며, 손톱 크기의 웨이퍼가 갖는 기억용량은 500기가바이트에 이른다. 이것은 100시간 분량의 3d동영상이나 100만 장의 사진, mp3 노래 10만 곡, 200시간의 dvd 영화, 또는 도서관 한 개에 해당하는 문자자료를 저장할 수 있는 용량이다.

허 팀장은 9나노미터 저항메모리가 10년 내에 플래시메모리를 대체할 것이라며 “대만이 특허를 제대로 활용하면 80조원에 이르는 전세계 시장의 10%를 점유할 수 있을 것”이라고 예상했다